賽普拉斯推出具備片上錯誤校正碼的高性能同步SRAM，確保卓越的可靠性.36Mb同步SRAM擁有業(yè)界最低的軟錯誤率；低功耗運行，與現(xiàn)有器件管腳兼容.
靜態(tài)隨機存取存儲器（SRAM）市場領導者賽普拉斯半導體公司日前宣布，推出業(yè)界最高容量的其具有片上錯誤校正碼（ECC）的同步SRAM。新的36Mb同步SRAM集成了ECC功能，使之可以提供最高水平的數(shù)據(jù)可靠性，簡化多種軍用、通訊和數(shù)據(jù)處理應用的設計。賽普拉斯今年計劃擴充具備ECC功能的同步SRAM產品線，增加其他容量的產品。
賽普拉斯推出具備片上錯誤校正碼的高性能同步SRAM
由背景輻射引起的軟錯誤可損壞存儲器中的內容，造成重要數(shù)據(jù)的遺失。賽普拉斯新型同步SRAM系列中的硬件ECC模塊可在線執(zhí)行所有的錯誤校正功能，而無需用戶干預，能達到業(yè)界最佳的軟錯誤率（SER）性能。這些具有ECC功能的同步SRAM器件與現(xiàn)有的同步SRAM管腳兼容，客戶無需改變電路板設計，即可提高SER和系統(tǒng)可靠性。此外，新款SRAM與競爭方案相比，還可降低多達36%的功耗。
賽普拉斯同步SRAM業(yè)務部總監(jiān)OliverPohland指出：“賽普拉斯是全球同步SRAM的領導者。具有片上ECC功能的這一新系列器件履行了我們擴充標準同步、NoBL和QDRSRAM產品的承諾。與我們整個SRAM產品線一樣，這些新器件都源自賽普拉斯業(yè)界最佳的制造能力，并享有最好的客戶支持。”
供貨情況
新款36Mb同步SRAM的工業(yè)溫度范圍產品現(xiàn)已供貨，封裝方式為符合RoHS標準的100-pinTQFP和165-ballBGA。
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