4月12日消息，據(jù)中國(guó)臺(tái)灣媒體《聯(lián)合報(bào)》報(bào)道稱(chēng)，臺(tái)積電3nm制程工藝近期取得重大突破，這項(xiàng)因開(kāi)發(fā)技術(shù)限制而延誤的工藝即將面世。臺(tái)積電決定今年量產(chǎn)第二版3nm制程N(yùn)3B，于今年8月份在新竹12廠研發(fā)中心第八期工廠及南科18廠P5廠同步投片。

　　目前臺(tái)積電初步規(guī)劃新竹工廠每月產(chǎn)能約1萬(wàn)至2萬(wàn)片，臺(tái)南工廠產(chǎn)能為1.5萬(wàn)片。

　　今年1月份，臺(tái)積電總裁魏哲家在法人說(shuō)明會(huì)上表示，臺(tái)積電3nm制程進(jìn)展符合預(yù)期，將于今年下半年量產(chǎn)，客戶(hù)也比預(yù)期多。同時(shí)，他還指出，3nm制程將主要應(yīng)用于高效應(yīng)運(yùn)算及智能手機(jī)領(lǐng)域，預(yù)期3nm將是繼5nm之后，另一大規(guī)模世代制程。

　　此前就有消息透露，臺(tái)積電3nm工藝會(huì)在晚些時(shí)候投產(chǎn)，預(yù)計(jì)初期產(chǎn)量在每月4萬(wàn)至5萬(wàn)片之間。當(dāng)前這一代3nm制程被稱(chēng)為“N3B”，之后臺(tái)積電還會(huì)推出一個(gè)更強(qiáng)的迭代版本“N3E”，預(yù)計(jì)在2023年投產(chǎn)。臺(tái)積電3nm將采用FinFET技術(shù)，正式與三星的GAA技術(shù)對(duì)抗。

　　另一方面，三星正計(jì)劃在 2022 年上半年完成其 3nm GAA 工藝的質(zhì)量評(píng)估。據(jù)韓國(guó)媒體近期報(bào)道，三星已經(jīng)準(zhǔn)備好在韓國(guó)平澤市的 P3 工廠開(kāi)工建設(shè) 3nm 晶圓廠，計(jì)劃于 6、7 月份動(dòng)工，并及時(shí)導(dǎo)入設(shè)備。

　　根據(jù)三星的說(shuō)法，與 7nm 制造工藝相比，3nm GAA 技術(shù)的邏輯面積效率提高了 45% 以上，功耗降低了 50%，性能提高了約 35%，紙面參數(shù)上來(lái)說(shuō)確實(shí)要優(yōu)于臺(tái)積電 3nm FinFET 工藝。

　　三星代工是三星的代工芯片制造業(yè)務(wù)部門(mén)，此前有消息稱(chēng)其目前正在與客戶(hù)一起進(jìn)行產(chǎn)品設(shè)計(jì)和批量生產(chǎn)的質(zhì)量測(cè)試。該業(yè)務(wù)部門(mén)的目標(biāo)是擊敗競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手臺(tái)積電，在 3nm GAA 領(lǐng)域獲得“世界第一”的稱(chēng)號(hào)。然而三星能否在 3nm 的性能和產(chǎn)能上滿(mǎn)足客戶(hù)的要求還有待觀察。

　　01

　　競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手負(fù)面不斷

　　作為臺(tái)積電在最新制程上的唯一對(duì)手，三星電子代工部門(mén)最近深陷負(fù)面?zhèn)髀勚小Ｏ仁怯邢⒎Q(chēng)涉嫌偽造并虛報(bào) 5nm、4nm 和 3nm 工藝良率，讓高通等 VIP 客戶(hù)不得不另投臺(tái)積電，近日又被黑客竊走 200GB 數(shù)據(jù)。

　　不過(guò)從技術(shù)上來(lái)看，三星依然是唯一一家能夠緊跟臺(tái)積電的晶圓代工廠，而且三星在接下來(lái)的 3nm 節(jié)點(diǎn)上將更加激進(jìn)，并想要在全球首次推出 GAA 晶體管工藝，放棄 FinFET 晶體管工藝(臺(tái)積電 3nm 工藝仍將基于 FinFET 工藝)。

　　此前，據(jù)韓國(guó)媒體報(bào)道稱(chēng)，三星高管可能在試產(chǎn)階段捏造了其 5nm 以下工藝的芯片良率，以抬高三星代工業(yè)務(wù)的競(jìng)爭(zhēng)力。隨后，三星啟動(dòng)了對(duì)原本計(jì)劃擴(kuò)大產(chǎn)能和保證良率的資金下落的調(diào)查，進(jìn)一步了解半導(dǎo)體代工廠產(chǎn)量和良率情況。

　　三星內(nèi)部官員透露，“由于晶圓代工廠交付的數(shù)量難以滿(mǎn)足代工訂單需求，公司對(duì)非內(nèi)存工藝的良率表示懷疑，事實(shí)上基于該良率是可以滿(mǎn)足訂單交付的?！绷碛袠I(yè)內(nèi)人士透露，在三星為高通生產(chǎn)的驍龍 4nm 制程芯片中，良品率僅為 35%，后供應(yīng)鏈傳出消息，高通將把新款5G旗艦芯片“驍龍8Gen1Plus”代工訂單由三星轉(zhuǎn)至臺(tái)積電。消息還稱(chēng)，三星自研的 4nm 制程 SoC 獵戶(hù)座 2200 的良率更低。

　　02

　　新蘋(píng)果或無(wú)緣首發(fā)

　　出于三星產(chǎn)品質(zhì)方面的考量，蘋(píng)果公司已經(jīng)確定成為臺(tái)積電的3nm客戶(hù)。

　　按照以往的慣例，蘋(píng)果最新一代手機(jī)芯片都會(huì)基于臺(tái)積電最新的制程工藝打造，也就是A16將使用3nm制程工藝。據(jù)報(bào)道，蘋(píng)果A16已確定基于臺(tái)積電4nm工藝，并且已開(kāi)始試產(chǎn)，也就意味著，新蘋(píng)果將無(wú)緣最新的3nm制程工藝。

　　此前A14首發(fā)臺(tái)積電5nm，導(dǎo)致iPhone 12系列出現(xiàn)發(fā)熱嚴(yán)重的狀況，使得蘋(píng)果在搭載策略上更追求穩(wěn)定。

　　另一方面，A16芯片使用更為成熟的4nm工藝生產(chǎn)，能有穩(wěn)定、充足的供貨保障，不用擔(dān)心3nm工藝的產(chǎn)能影響到iPhone 14的銷(xiāo)量。

　　據(jù)了解，蘋(píng)果A16將繼續(xù)保持2+4的6核CPU架構(gòu)設(shè)計(jì)，相比上一代性能提升約20%，猜測(cè)會(huì)通過(guò)更新CPU架構(gòu)以及提升能效來(lái)提升處理器的整體性能。此外，A16芯片還將支持5G雙頻段、新一代LPDDR5以及WiFi5E等技術(shù)。

　　A16芯片依舊會(huì)分為滿(mǎn)血版和殘血版兩個(gè)版本，主要差異應(yīng)該是GPU核心數(shù)量以及CPU主頻等方面。有消息稱(chēng)，A16殘血版可能是A15換殼，iPhone 14/14 Max會(huì)搭載殘血版，兩款Pro機(jī)型搭載滿(mǎn)血版，性能方面可能會(huì)有較大的差距。