日本撥款3500億日元,將與美國合建先進半導體研究中心!目標2030年前擁有2nm量產能力
11月6日消息,據(jù)日經新聞報道,日本政府計劃撥款3500億日元(約23.8億美元)預算與美國合作建設先進半導體研究中心。
據(jù)介紹,這筆支出包含在日本政府本財年的二次補充預算法案中,其中還將包括 4500 億日元用于日本先進半導體生產中心,以及 3700
億日元用于確保半導體材料供應。
據(jù)報道,日本與美國合建先進半導體研究中心將在年底前建立,該合資公司希望在2025年-2030年間擁有2納米制程芯片的量產能力。據(jù)悉,IBM是美國方面的候選合作伙伴之一。參與的日本公司的名稱和其它細節(jié)將于本月公布。東京大學、國立先進工業(yè)科學技術研究所和理研研究所以及美國和歐洲的公司和研究機構將參加。
日本首相岸田文雄宣布將在包括半導體在內的下一代領域投資 3 萬億日元,預計在電池和機器人方面的投資將略低于 1 萬億日元。
目前日本政府已經批準了對臺積電、鎧俠和美國美光科技的補貼,以在日本建立工廠,生產數(shù)據(jù)中心、人工智能和其它尖端技術所需的半導體。這包括在了去年追加的6170億日元預算當中。
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