東芝與Sandisk共慶Fab 5在日本正式投產(chǎn)

時間:2011-07-14

來源:網(wǎng)絡轉(zhuǎn)載

導語:東芝與Sandisk共慶Fab 5在日本正式投產(chǎn)。

  2011年7月12日,日本三重縣四日市——東芝株式會社(TOKYO:6502)與SanDisk公司(NASDAQ:SNDK)今日共同慶祝位于日本三重縣四日市東芝生產(chǎn)基地的第三家300mm晶圓NAND生產(chǎn)工廠Fab5正式投產(chǎn)。

  由于消費者對于智能手機、平板電腦和其他電子設備的巨大需求推動著NAND閃存的全球需求總量進一步上升,東芝于2010年7月開工建設Fab5,這座新的生產(chǎn)工廠配備了東芝和SanDisk投資的最新制造設備,并已于2011年7月開始量產(chǎn)。Fab5目前采用24納米(nm)*工藝技術(shù),第一批晶圓將于8月份發(fā)貨。目前,F(xiàn)ab5采用新近宣布的全球最小、最先進的工藝節(jié)點——19納米制造技術(shù);未來,F(xiàn)ab5將過渡到更高級的工藝制程。

  Fab5采用先進的地震吸能結(jié)構(gòu)并且整合了多項電力補償技術(shù),以防因意外而發(fā)生生產(chǎn)中斷。而采用的LED照明和節(jié)能型生產(chǎn)設備也將幫助東芝達成全廠二氧化碳排放量比Fab4減少12%的目標。通過一條晶圓運輸系統(tǒng),F(xiàn)ab5可與Fab3和Fab4連接在一起,令生產(chǎn)制造變得更為高效。

  成立于2010年9月的FlashForward有限公司是東芝和SanDisk的合資公司(東芝持股50.1%;SanDisk持股49.9%),其配備了先進的晶圓生產(chǎn)設備。

  *注:1納米=十億分之一米

  四日市生產(chǎn)基地Fab5工廠簡介

  建筑結(jié)構(gòu):2層式鋼結(jié)構(gòu)混凝土建筑,5層樓

  建筑面積:約38,000平方米

  使用面積:約187,000平方米

  開工建設日期:2010年7月

  大樓竣工日期:2010年3月

  量產(chǎn)起始日期:2011年7月

  東芝四日市生產(chǎn)基地簡介

  地點:日本國三重縣四日市山之一色町800號

  建立日期:1992年1月

  總經(jīng)理:KojiSato

  員工人數(shù)約4,400人

  (截止2011年3月,僅限東芝的正式員工)

  總占地面積:約436,800平方米

  總使用面積:約647,000平方米

  FlashForward有限公司簡介

  地點:日本國三重縣四日市山之一色町800號

  建立日期:2010年9月

  總裁兼首席執(zhí)行官:HideyukiKobayashi

  控股情況:東芝:50.1%,SanDisk:49.9%

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