產(chǎn)品頻道

相對(duì)于標(biāo)準(zhǔn)模塊30mm的高度，SEMiXTM4的高度才17mm，其在183mm x69mm的面積上實(shí)現(xiàn)最大直流電流900A的能力，使其當(dāng)之無(wú)愧的成為目前功率器件市場(chǎng)上最緊湊的半橋模塊。 SEMiXTM4 IGBT模塊，是SEMiXTM3的“大哥”，能夠應(yīng)用在功率超過(guò)90kW的電機(jī)電源中。它有半橋與制動(dòng)單元兩種拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。作為“小弟”的SEMiXTM2 IGBT模塊，是最小的半橋模塊，其長(zhǎng)寬高尺寸僅為117mm x 62mm x 17mm，最大直流電流能力可達(dá)470A。 僅在一年前，賽米控推出了SEMiXTM3半橋模塊以及兼容的SEMiXTM33c六單元封裝模塊，它們?cè)谧冾l器和不間斷電源的應(yīng)用領(lǐng)域中都業(yè)已聲名斐然。 SEMiXTM IGBT系列采用溝道技術(shù)，具有600V、1200V 和 1700V三種電壓等級(jí)，特別適合于開關(guān)頻率小于6 kHz的應(yīng)用場(chǎng)合。采用軟穿通技術(shù)的1200V模塊，其開關(guān)頻率可以超過(guò)6 kHz。 對(duì)不同功率等級(jí)的模塊，賽米控設(shè)計(jì)平臺(tái)提供三種模塊尺寸。下表列明了三種SEMiXTM 模塊尺寸對(duì)應(yīng)的電機(jī)功率和電流的范圍。更高功率等級(jí)的逆變器可以采用幾個(gè)半橋并聯(lián)的方式。 SEMiXTM模塊尺寸 Ic[A] 電機(jī)功率范圍[kW] 2 190 – 470 30 – 55 3 250 – 700 55 – 110 4 600 – 900 > 90 圖：SEMiXTM 4半橋模塊