產品頻道

　　2009年8月19日 - 全球領先的高性能、高能效硅方案供應商安森美半導體（ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ONNN））推出4款新的30伏（V）肖特基勢壘二極管。這些新的肖特基勢壘二極管采用超小型0201雙硅片無引腳（DSN2）芯片級封裝，為便攜電子設計人員提供業(yè)界最小的肖特基二極管和同類最佳的空間性能。 　　這些新的肖特基二極管提供低正向電壓或低反向電流，額定正向電流為100毫安（mA）或200 mA，其中后者是業(yè)界最小巧的額定200 mA器件。這些新的器件為越來越多空間受限的應用解決問題，例如手機、MP3播放器和數(shù)碼相機等。 　　安森美半導體小信號產品分部總監(jiān)兼總經理何燾（Dan Huettl）說：“我們客戶持續(xù)面對設計挑戰(zhàn)，要在空間受限的應用中取舍優(yōu)化電路板布線與系統(tǒng)性能的問題。安森美半導體遂推出超小型0201 DSN-2肖特基勢壘二極管，回應系統(tǒng)設計人員的訴求，優(yōu)化便攜應用的電源管理?！? 　　器件 　　這些肖特基二極管封裝底部含有可焊接金屬觸點，令工作的硅片百分之百地利用封裝面積。新的0201 DSN-2封裝尺寸僅為0.6 mm x 0.3 mm x 0.3 mm，與常見的1.0 mm x 0.6 mm x 0.4 mm的SOD-923（也稱作0402）封裝相比，節(jié)省3倍的電路板空間。這些新器件的泄漏電流為市場上最低，幫助設計人員解決功率損耗、效率及開關速度問題。與采用傳統(tǒng)塑模封裝的競爭組件相比，新的肖特基二極管的板面積性能顯著提升，傲視同儕。它們的電源管理特性，也領先同類產品，有助延長便攜設備應用中的電池使用時間。 　　NSR0xF30NXT5G器件系列優(yōu)化了正向電壓降（Vf），在10 mA正向電流時僅為370毫伏（mV），進一步突顯這系列的先進、高性能規(guī)格。NSR0xL30NXT5G器件系列設計用于低反向電流（Ir），在10 V反向電壓時僅為0.2微安（µA），且泄漏電流極低，延長電池使用時間。這兩個系列的器件提供人體模型（HBM） 3B類和機器模型（MM） C類的ESD額定能力及低熱阻抗，為設計工程師解決在小電路板空間中納入越來越多電路的挑戰(zhàn)。這些肖特基二極管符合RoHS指令，工作溫度范圍為–40°C至+125°C，非常適用于苛刻室內及室外環(huán)境中的設備。 　　更多技術信息請訪問www.onsemi.cn或聯(lián)系Edwin Romero（電郵：Edwin.Romero@onsemi.com）。 關于安森美半導體（ON Semiconductor） 　　安森美半導體（ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ONNN）擁有跨越全球的物流網絡和強大的產品系列，是電源、汽車、通信、計算機、消費產品、醫(yī)療、工業(yè)、手機和軍事/航空等市場客戶之首選高性能、高能效硅方案供應商。公司廣泛的產品系列包括電源、模擬、數(shù)字信號處理器（DSP）、混合信號、先進邏輯、時鐘管理、非易失性存儲器和標準元器件。公司的全球總部位于美國亞利桑那州菲尼克斯，并在北美、歐洲和亞太地區(qū)等關鍵市場運營包括制造廠、銷售辦事處和設計中心的業(yè)務網絡。欲查詢公司詳情，請瀏覽安森美半導體網站：http://www.onsemi.cn。